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国家存储器基地项目在汉开工 存储芯片规模化实现“零
作者:正定县枫林商贸有限公司 来源:www.hbflsm.com 发布时间:2019-01-08 14:39:59
国家存储器基地项目在汉开工 存储芯片规模化实现“零”的突破

  湖北日报讯(记者李墨、通讯员张珊妮)自今年3月落地以来,总投资240亿美元(约1600亿元人民币)的国家存储器基地项目,经过近一年的筹备调整,昨日正式在武汉未来科技城开工建设。它标志着中国集成电路存储芯片产业,在规模化发展上实现了“零”的突破。

  这是我国集成电路产业有史以来最大单体投资项目,也是新中国成立以来我省最大单体投资高科技产业项目。

  紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国表示,集成电路是信息技术产业的核心,保障着国家信息安全,其中存储器约占集成电路产业的25%。“这个项目对中国科技事业的意义,不亚于‘辽宁号’航空母舰出海试航。”

  该基地占地1968亩,由全国最大的集成电路设计公司紫光集团,联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科技投资集团有限公司共同投资建设,主要研发生产以3DNAND技术为核心的存储器芯片。

  此前,为该项目组建的长江存储科技有限责任公司于7月成立。本地最大的集成电路企业武汉新芯,成为长江存储全资子公司。

  未来几年,在光谷东这片高科技公司云集的土地上,将建起3座全球单体洁净面积最大的3DNANDFlashFAB厂房、1座总部研发大楼及其他配套设施。其核心生产厂房和设备,每平方米投资强度超过3万美元,创全国之最。

  3DNAND即立体堆叠存储技术。如果说2D闪存是建平房,3DNAND存储就是盖楼房,现在国际主流产品已经“盖”到48层,未来有可能到96层、128层,存储容量大幅提升。

  据悉,存储器基地分三期建设。一期工程预计明年完工进入设备调试,2018年建成投产,月产晶圆硅片10万片,相当于8.5亿颗芯片。2020年,三期全部完工后,基地产能将达到每月30万片,年产值将超过100亿美元,形成设计、测试、封装、制造、应用等上下游集群。

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